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（二）深能級(jí)發(fā)光 III族/V族化合物制作的LED產(chǎn)品，藍(lán)綠光LED、紫光LED、UV LED等芯片光譜中，黃光帶是一直存在的，其波峰在550nm左右，強(qiáng)度很低，但是人眼對(duì)550nm波長(zhǎng)的感官最強(qiáng)烈，因此
（二）深能級(jí)發(fā)光
III族/V族化合物制作的LED產(chǎn)品，藍(lán)綠光LED、紫光LED、UV LED等芯片光譜中，黃光帶是一直存在的，其波峰在550nm左右，強(qiáng)度很低，但是人眼對(duì)550nm波長(zhǎng)的感官最強(qiáng)烈，因此黃光帶很容易被人眼捕捉到。UVC產(chǎn)品工作波長(zhǎng)肉眼不可見，因此黃光帶會(huì)更加容易被捕捉到，使產(chǎn)品呈現(xiàn)出微弱的黃光。黃光帶的來(lái)源一直沒有明確的定論。
肉眼感知的黃光強(qiáng)度與芯片的亮度沒有絕對(duì)的對(duì)應(yīng)關(guān)系。芯片的發(fā)光越強(qiáng)，黃光帶受到短波長(zhǎng)激發(fā)而發(fā)出的光線也越強(qiáng)；同時(shí)黃光帶吸收掉過(guò)多的工作波長(zhǎng)。
（重點(diǎn)）：如果黃光帶強(qiáng)度較高，芯片發(fā)光顏色會(huì)直接顯示黃色；如果黃光帶強(qiáng)度較低，遠(yuǎn)低于光譜中的藍(lán)光和紫光部分，那么黃光會(huì)與藍(lán)光紫光混合發(fā)出白色的光線。
以上這種因光譜導(dǎo)致的發(fā)光顏色差異大都可以體現(xiàn)在主波長(zhǎng)數(shù)據(jù)上，發(fā)光顏色為紫色的芯片主波長(zhǎng)應(yīng)在430nm以下，發(fā)光顏色為藍(lán)色的芯片主波長(zhǎng)應(yīng)在450nm以上，發(fā)光顏色偏黃的主波長(zhǎng)可能達(dá)到500nm。
很多研究將黃光帶的來(lái)源歸咎于深能級(jí)，而其中Ga空位、Mg、C等受到關(guān)注最多[1,2]。比如C污染，因生長(zhǎng)過(guò)程中使用的金屬源為有機(jī)物，因此不可避免會(huì)有C原子進(jìn)入材料中，而這種C原子或與N原子結(jié)合，或進(jìn)入間隙，形成C深能級(jí)，提供了黃光帶的發(fā)光源。通過(guò)二次離子質(zhì)譜（SIMS）和X射線能譜（XPS）測(cè)試分析可以看出，材料中C的密度還是很高的，達(dá)到1E17cm-3。通常情況下，C比例較大的材料，黃光帶更加明顯。
此外，LED中亦常見與Mg摻雜有關(guān)的藍(lán)光帶發(fā)光，一些研究表明p-GaN中Mg的深能級(jí)位于GaN導(dǎo)帶底-0.2eV位置，因此光譜在390nm左右，因此會(huì)使UV LED芯片，尤其是UVC LED芯片呈現(xiàn)出藍(lán)紫色的光色。
除此之外，還有一些雜質(zhì)、間隙等缺陷[3-5]，如Fe雜質(zhì)、Ga間隙原子、H絡(luò)合物、有機(jī)物分子等，也包括一部分C間隙或者絡(luò)合物，這些缺陷中大部分是常規(guī)的測(cè)試分析難以捕捉到的，但同時(shí)也是MOCVD生長(zhǎng)過(guò)程中無(wú)法避免的。研究表明，在GaN材料中，這些缺陷形成了兩個(gè)較為明顯的深能級(jí)帶，一個(gè)能級(jí)位于GaN導(dǎo)帶底-0.5eV左右的位置，發(fā)光波峰在420nm-440nm之間。這種缺陷對(duì)發(fā)光顏色的影響較為明顯，UV LED芯片受到這種深能級(jí)發(fā)光影響，發(fā)光顏色會(huì)呈現(xiàn)出藍(lán)紫色或藍(lán)色。另一個(gè)則位于黃光帶光譜位置，被認(rèn)為是引起黃光帶的原因之一。
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