芯片的問題不比外延少，主要是正裝芯片工藝已經(jīng)無法滿足UVLED的要求了，尤其是380納米以下的UVLED芯片，目前UVA最主流的技術(shù)是垂直結(jié)構(gòu)芯片，由于垂直結(jié)構(gòu)芯片的發(fā)光面在N型材料，可以有效的降低光被吸收的問題，另外垂直結(jié)構(gòu)的光型穩(wěn)定，大部分都是軸向光，幾乎沒有側(cè)向光，輻射效率高，在固化制程上有比較穩(wěn)定與均勻的光分布。目前垂直結(jié)構(gòu)的芯片有硅襯底化學(xué)剝離技術(shù)與藍(lán)寶石襯底激光剝離技術(shù)，由于兩種工藝的良率較低，工藝較復(fù)雜所以成本都比較高，單價(jià)是目前正裝芯片的3到5倍價(jià)格。
 

而針對(duì)UVC結(jié)構(gòu)的280nm與265nm，目前主流的技術(shù)是倒裝結(jié)構(gòu)，關(guān)鍵問題還是如何降低氮化鎵對(duì)UVC的光吸收以及良好的歐姆反射電極，而與N型鋁鎵氮合適的歐姆接觸電極也是非常重要的。

下圖是UVLED三種結(jié)構(gòu)的比較示意圖，由性能與成本來看，385nm以上的波長(zhǎng)使用便宜的正裝結(jié)構(gòu)與性能優(yōu)異的垂直結(jié)構(gòu)各具優(yōu)勢(shì)，375nm以下波長(zhǎng)的UVA適合垂直結(jié)構(gòu)，由于有較好的散熱路徑，UVC的波段適合倒裝結(jié)構(gòu)，這也是目前市場(chǎng)上為什么385nm以上的器件很便宜，但是波長(zhǎng)越短的UV，價(jià)格越來越貴的原因之一吧。